NTNS3A65PZT5G, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 281мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.3 Ом |
| Мощность макс.: | 155мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 1.1нКл |
| Входная емкость: | 44пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-883 |
| Наименование: | NTNS3A65PZT5G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 235MA SOT883 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
NTNS3A65PZT5G, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 235 мА — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 281мА
- Входная емкость: 44пФ
- Заряд затвора: 1.1нКл
- Корпус: SOT-883
- Мощность макс.: 155мВт