FDC642P-F085, Транзистор полевой P-канальный 20В 4A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 65 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 16нКл |
| Входная емкость: | 640пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC642P-F085 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 4A 6SSOT |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Техническое описание: FDC642P-F085, Транзистор полевой P-канальный 20В 4A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 65 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 4A
- Входная емкость: 640пФ
- Заряд затвора: 16нКл