FDD6N50TM-F085, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 900 мОм |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 16.6нКл |
| Входная емкость: | 9400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD6N50TM-F085 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент FDD6N50TM-F085, Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 900 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 6A
- Входная емкость: 9400пФ