NTLJF3117PT1G, Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 2.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 710мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Diode (Isolated) |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 6.2нКл |
| Входная емкость: | 531пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-WDFN (2x2) |
| Наименование: | NTLJF3117PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin WDFN T/R |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
NTLJF3117PT1G, Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 710мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated)
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.