FDT86102LZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 6.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 1490пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.18 г. |
| Наименование: | FDT86102LZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Компонент FDT86102LZ, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 6.6A
- Вес брутто: 0.18 г.
- Входная емкость: 1490пФ
- Заряд затвора: 25нКл
- Корпус: SOT-223