Представляем вашему вниманию статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) от ведущего производителя полупроводниковых компонентов Infineon Technologies - CY7C1021D-10VXIT. Этот высокопроизводительный SRAM-чип с объемом памяти 1 Мбит и предельным временем доступа 10 нс является идеальным решением для широкого спектра электронных устройств, требующих быстрой и надежной памяти.

Благодаря своим выдающимся техническим характеристикам, компонент CY7C1021D-10VXIT может применяться в самых различных областях, от промышленной автоматизации и телекоммуникационного оборудования до систем обработки сигналов и высокопроизводительных вычислительных платформ. Его высокая скорость доступа, низкое энергопотребление и удобная микросхема в корпусе SOJ44 делают его незаменимым выбором для разработчиков электроники.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 1M (64K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 4.5 V ~ 5.5 V
• Описание Eng: IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 500 шт
• Корпус: SOJ44

Благодаря своим выдающимся техническим характеристикам, компонент CY7C1021D-10VXIT является отличным выбором для широкого спектра применений, где требуется высокоскоростная и надежная память, такие как промышленная автоматизация, телекоммуникационное оборудование, системы обработки сигналов и высокопроизводительные вычислительные платформы.