IRLR8259PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 25В |
| Ток стока макс.: | 57A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.7 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IRLR8259PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
IRLR8259PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 57 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.