IRF6645TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 5.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 890пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6645TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4800 шт |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] SJ |
Описание
IRF6645TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.