IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 135A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.7 мОм @ 104А, 10В |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 230нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 5110пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.7 г. |
| Наименование: | IRF2805STRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Компонент IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 135A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 104А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.