IRF9540NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 23A |
| Сопротивление открытого канала: | 117 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 1450пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.2 г. |
| Наименование: | IRF9540NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канальный IRF9540NSTRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется коммутация высоких напряжений и токов.
Транзистор IRF9540NSTRLPBF отличается надежностью и долговечностью, что делает его отличным выбором для применения в силовой электронике, системах управления двигателями, источниках питания и других областях. Его характеристики позволяют работать с напряжением до 100 В и токами до 23 А.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 23A
- Сопротивление открытого канала: 117 мОм
- Мощность макс.: 3.1Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 1450пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 2.2 г
- Описание Eng: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRF9540NSTRLPBF идеально подходит для использования в качестве коммутирующего элемента в схемах управления мощными нагрузками, таких как электродвигатели, источники питания, инверторы и многое другое. Его высокая производительность и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке современной электронной аппаратуры.