Представляем вашему вниманию статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) IS61LV256AL-10JLI-TR от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Данная микросхема памяти обладает высокой скоростью работы и широким диапазоном напряжения питания, что позволяет использовать ее в широком спектре электронных устройств.

Благодаря своим техническим характеристикам, IS61LV256AL-10JLI-TR является оптимальным решением для применения в высокопроизводительных системах, требующих быстрого доступа к данным. Данный компонент может стать надежной основой для построения различных электронных устройств, от промышленной автоматики до бытовой техники.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 256K (32K x 8)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V
• Вес брутто: 5 г
• Описание Eng: SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1 шт
• Корпус: SOJ28

Благодаря высокой скорости работы и широкому диапазону напряжения питания, IS61LV256AL-10JLI-TR идеально подходит для применения в различных высокопроизводительных электронных системах, таких как промышленная автоматика, системы управления, телекоммуникационное оборудование, бытовая техника и многое другое. Данная микросхема памяти обеспечивает надежное хранение и быстрый доступ к данным, что делает ее незаменимым компонентом для современных электронных устройств.