IRFB3307PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 130A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.3 мОм |
| Мощность макс.: | 250Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 180нКл |
| Входная емкость: | 5150пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | IRFB3307PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент IRFB3307PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.