IRFS31N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 31A |
| Сопротивление открытого канала: | 82 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5.5В |
| Заряд затвора: | 107нКл |
| Входная емкость: | 2370пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRFS31N20DPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFS31N20DPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 50 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 82 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)