IRFSL4010PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 180A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.7 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 215нКл |
| Входная емкость: | 9575пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-262 |
| Наименование: | IRFSL4010PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-262 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Техническое описание: IRFSL4010PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Мощность макс.: 375Вт
- Наименование: IRFSL4010PBF
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 50 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм