IPD100N04S402ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 мОм |
| Мощность макс.: | 150Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 118нКл |
| Входная емкость: | 9430пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD100N04S402ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CHANNEL 40V100A OPTIMOS TO252 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | PG-TO252-3-313 |
Описание
Техническое описание: IPD100N04S402ATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 9430пФ
- Заряд затвора: 118нКл
- Корпус: PG-TO252-3-313
- Мощность макс.: 150Вт
- Наименование: IPD100N04S402ATMA1
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Нормоупаковка: 2500 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CHANNEL 40V100A OPTIMOS TO252