• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

SPA11N80C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:800В
Ток стока макс.:11A
Сопротивление открытого канала:450 мОм
Мощность макс.:41Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.9В
Заряд затвора:85нКл
Входная емкость:1600пФ
Тип монтажа:Through Hole
Вес брутто:2.91 г.
Наименование:SPA11N80C3XKSA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт
Корпус:PG-TO220-3 (fully isolated)

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор SPA11N80C3XKSA1 от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением 800В и током стока до 11А идеально подходит для широкого спектра применений в области промышленной электроники, систем управления двигателями и источников питания.

Транзистор SPA11N80C3XKSA1 отличается надежностью, высокой эффективностью и долговечностью, что делает его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств. Его ключевые технические характеристики представлены ниже:

  • Напряжение исток-сток макс.: 800В
  • Ток стока макс.: 11A
  • Сопротивление открытого канала: 450 мОм
  • Мощность макс.: 41Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
  • Заряд затвора: 85нКл
  • Входная емкость: 1600пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Вес брутто: 2.91 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 50 шт
  • Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated)

Благодаря своим характеристикам, транзистор SPA11N80C3XKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателями и другие устройства, где требуется надежный и высокопроизводительный ключевой элемент. Его универсальность и превосходные технические показатели делают этот транзистор незаменимым в современной промышленной электронике.