SPA11N80C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 450 мОм |
| Мощность макс.: | 41Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 85нКл |
| Входная емкость: | 1600пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 2.91 г. |
| Наименование: | SPA11N80C3XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
| Корпус: | PG-TO220-3 (fully isolated) |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор SPA11N80C3XKSA1 от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением 800В и током стока до 11А идеально подходит для широкого спектра применений в области промышленной электроники, систем управления двигателями и источников питания.
Транзистор SPA11N80C3XKSA1 отличается надежностью, высокой эффективностью и долговечностью, что делает его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств. Его ключевые технические характеристики представлены ниже:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 11A
- Сопротивление открытого канала: 450 мОм
- Мощность макс.: 41Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 85нКл
- Входная емкость: 1600пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Вес брутто: 2.91 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
- Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated)
Благодаря своим характеристикам, транзистор SPA11N80C3XKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателями и другие устройства, где требуется надежный и высокопроизводительный ключевой элемент. Его универсальность и превосходные технические показатели делают этот транзистор незаменимым в современной промышленной электронике.