PSMN4R8-100BSEJ, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 120А |
| Мощность макс.: | 405Вт |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | PSMN4R8-100BSEJ |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 120A |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
PSMN4R8-100BSEJ, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В 120 А 405 Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: NEXPERIA. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120А Мощность макс.: 405Вт Тип транзистора: N-канальный Корпус: D2PAK/TO263 Вес брутто: 1.35 г.
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.