IRF1010ZSPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55V |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 mOhm |
| Мощность макс.: | 140W |
| Тип транзистора: | N-Channel |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4V |
| Заряд затвора: | 95nC |
| Входная емкость: | 2840pF |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.75 г. |
| Наименование: | IRF1010ZSPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
IRF1010ZSPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 55V Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 mOhm Мощность макс.: 140W Тип транзистора: N-Channel Пороговое напряжение включения макс.: 4V
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.