IXTA06N120P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1200В (1.2kВ) |
| Ток стока макс.: | 600мА(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 32 Ом @ 300mА, 10В |
| Мощность макс.: | 42Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В @ 50 µA |
| Заряд затвора: | 13.3нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 270пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-263 (IXTA) |
| Вес брутто: | 2.1 г. |
| Наименование: | IXTA06N120P |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IXTA06N120P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: IXYS Corporation. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 600мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.