IRF6662TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 8.3A(Ta),47A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм @ 8.2А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.9В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 31нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 1360пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IRF6662TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
| Нормоупаковка: | 4800 шт. |
| Корпус: | DIRECTFET[тм] MZ |
Описание
IRF6662TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.