IRFB4233PBF, Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 230В |
| Ток стока макс.: | 56A |
| Сопротивление открытого канала: | 37 мОм |
| Мощность макс.: | 370Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 170нКл |
| Входная емкость: | 5510пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRFB4233PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 230 V, 56 A, 370 W |
| Тип упаковки: | Bulk (россыпь) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFB4233PBF, Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 230В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.