• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF3708PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:62A
Сопротивление открытого канала:12 мОм
Мощность макс.:87Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:24нКл
Входная емкость:2417пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.92 г.
Наименование:IRF3708PBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор N-канала от ведущего производителя Infineon Technologies - модель IRF3708PBF. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, эффективностью и широким спектром применения в современной электронике.

Основные технические характеристики транзистора IRF3708PBF:

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 62A
  • Сопротивление открытого канала: 12 мОм
  • Мощность макс.: 87Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.:
  • Заряд затвора: 24нКл
  • Входная емкость: 2417пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.92 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
  • Тип упаковки: Tube (туба)
  • Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF3708PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы двигателей и другие высокомощные схемы. Его высокая производительность, низкое сопротивление открытого канала и эффективная конструкция корпуса делают этот компонент оптимальным решением для проектирования надежных и энергоэффективных устройств.