IRLR3410PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 105 мОм |
| Мощность макс.: | 79Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 34нКл |
| Входная емкость: | 800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.63 г. |
| Наименование: | IRLR3410PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRLR3410PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.