IRFR3518PBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 38A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 38A |
| Сопротивление открытого канала: | 29 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 56нКл |
| Входная емкость: | 1710пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | IRFR3518PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт. |
Описание
Компонент IRFR3518PBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 38A (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 29 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 38A
- Входная емкость: 1710пФ