NTD18N06LT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 65 мОм |
| Мощность макс.: | 55Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 675пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK-3 |
| Вес брутто: | 0.47 г. |
| Наименование: | NTD18N06LT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
NTD18N06LT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.