IRF3717TRPBF, Полевой транзистор N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 20A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.4 мОм @ 20А, 10В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.45В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 33нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 2890пФ @ 10В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF3717TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC T/R |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
Компонент IRF3717TRPBF, Полевой транзистор N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.